SFCM 12/13 7: GENERACIÓN DE LUZ BLANCA EFICIENTE CON NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

Lunes 19 de Noviembre de 2012,
GENERACIÓN DE LUZ BLANCA EFICIENTE CON NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

ENRIQUE CALLEJA

Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (Isom), UPM, España

Se analiza en crecimiento epitaxial selectivo de nanoestructuras de InGaN mediante la técnica MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre substratos con máscaras de nanoagujeros de titanio. El éxito en este tipo de crecimiento depende de un balance crítico entre la difusividad de los átomos metálicos y su desorción, la rugosidad de la superficie, y la razón III/V. Se discuten diferentes aproximaciones a la generación de luz blanca de estado sólido sin utilización de fósforo conversor, como es el caso de zonas activas de InGaN en forma de:
i) pozo cuántico
ii) region extensa con composición fija
iii) región extensa con composición gradual
iv) estructura RGB (rojo-verde-azul).
Los Seminarios Internacionales de Fronteras de la Ciencia de Materiales son organizados por el Departamento de Ciencia de Materiales de la Universidad Politécnica de Madrid, y tienen periodicidad semanal. Su objetivo es servir de punto de encuentro, interacción y difusión de problemáticas actuales y destacadas dentro del área de la Ciencia e Ingeniería de Materiales; con una visión amplia que va desde los materiales biológicos a los materiales funcionales, pasando por aplicaciones puramente tecnológicas. En ellos se cuenta con la participación desinteresada de relevantes investigadores y tecnólogos de Universidades, Empresas y Centros de Investigación del ámbito nacional e internacional.