Unterschied MOSFET, bipolar Transistor, IGBT

Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET auch MOS-FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET) zuzurechnen. Obwohl heute dotiertes Polysilizium als Gate-Material vorherrscht, wurde die Bezeichnung MOSFET beibehalten.
Wie bei allen IGFET-Transistoren erfolgt die Ansteuerung eines MOSFETs über eine Steuerspannung (Gate-Source-Spannung) bzw. Steuerpotential (Gate-Potential), mit ihr kann der Stromfluss von Drain nach Source beeinflusst werden.

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen. Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert und wird zum Schalten und Verstärken von Signalen ohne mechanisch bewegte Teile eingesetzt.
Bipolare Leistungstransistoren sind für das Schalten und Verstärken von Signalen höherer Stromstärken und Spannungen ausgelegt.

Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.
Es gibt vier verschiedene Grundtypen von IGBTs, welche durch vier verschiedene Schaltsymbole dargestellt werden. Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich n- und p-Kanal-IGBTs herstellen. Diese unterteilen sich jeweils in einen selbstleitenden und einen selbstsperrenden Typ. Diese Eigenschaft ist im Rahmen des Herstellungsprozesses wählbar. In den Schaltsymbolen ist bei selbstleitenden IGBTs, auch als Verarmungs-Typ bezeichnet, eine durchgezogene Linie zwischen den Anschlüssen Kollektor (C) und Emitter (E) gezeichnet. Diese Linie ist bei den selbstsperrenden Typen, auch Anreicherungs-Typ bezeichnet, unterbrochen dargestellt. Der Gate-Anschluss (G) dient bei allen Typen als Steueranschluss.

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Wäre super, wenn Sie konkrete typische elektrische Geräte benennen, in den diese Bauelemente eingebaut sind.

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Ist nicht so ganz richtig: typischerweise können Mosfets deutlich schneller schalten als IGBTs. Letztere schalten i.d.R. deutlich langsamer. IGBTs erreichen höhere Sperrspannungen als Mosfets, das gilt aber schon nicht mehr bei den modernen SiC-Mosfets, die können sogar bis 2 kV schalten.