Лекция 5. SPICE-параметры МОП-транзистора

МДП-транзистор. Модели транзистора. Модель Шихмана-Ходжеса. Модель Мейера. SPICE-параметры моделей. Схема замещения для большого сигнала. Моделирование МДП-транзистора с индуцированным и встроенным каналами.
02:12 – Идеальная МДП-структура
07:15 – Влияние заряда в диэлектрике
08:58 – Влияние потенциала подложки
11:20 – Приближение плавного канала
16:05 – SPICE-модели МДП транзисторов
19:13 – lvl1. Простая зарядоуправляемая модель
21:44 – lvl1. Эффективная длина канала
23:42 – lvl1. Статические ВАХ
25:25 – lvl1. Пороговое напряжение
27:20 – lvl1. Дополнительные SPICE-параметры
28:27 – lvl1. Динамические характеристики
29:53 – lvl1. Ёмкостная модель Мейера
32:20 – lvl1. Ёмкости в разных режимах
32:53 – lvl2. Усовершенствованная модель Мейера
35:23 – lvl2. Статические ВАХ
36:10 – lvl2. Пороговое напряжение
37:42 – lvl2. Дополнительные зависимости
39:00 – lvl2. Учёт насыщения скорости дрейфа
40:28 – lvl2. Область насыщения
41:30 – Сравнение моделей
44:30 – Объёмные сопротивления
46:45 – Модель МОП-транзистора
48:28 – SPICE-описание МОП-транзистора
52:25 – Индуцированный и встроенный каналы